Une équipe de scientifiques de l’université de Manchester a annoncé dans le magazine Science avoir fabriqué le plus petit transistor du monde.
Un transistor de un nanomètre
L’équipe a réussi à produire un transistor fonctionnel d’un atome d’épaisseur pour 10 de longueur. Pour cela ils n’ont pas utilisé du silicium comme pour les circuits classiques mais du graphène. Isolé pour la première fois en 2004 par la même équipe, le graphène est un cristal de carbone en deux dimensions, une "feuille" de carbone de l’épaisseur d’un atome. Les nanotubes de carbone qui offrent eux aussi des perspectives intéressantes dans le domaine de l’informatique sont par exemple composés d’une feuille de graphène enroulée en tube. L’utilisation du graphène pour produire des transistors pourrait apporter une solution aux limites de la gravure du silicium.
La clef pour la poursuite de la miniaturisation ?
En effet même si l’on peut encore améliorer les finesses de gravure et l’épaisseur des wafers* le silicium à ses limites : on ne peut descendre au dessous de 10 nm d’épaisseur car au-delà il s’évapore. Selon les scientifiques on devrait se heurter à cette limite technique d’ici 10 à 15 ans. Le graphène pourrait donc prendre le relais du silicium dans la course à la miniaturisation. Son épaisseur est inférieure à celle du silicium (elle est de 1 nm) et il supporte des finesses de gravures qui ne peuvent être atteintes sur du silicium. Il tolère aussi sans problème les hautes températures et offre une excellente conductivité. La loi de Moore pourrait ainsi être respectée plus longtemps. Néanmoins, plusieurs limites subsistent avant de pouvoir espérer une utilisation industrielle : d’une part, on ne sait pas encore produire des quantités importantes de graphène et d’autre part la précision nécessaire pour la gravure est difficile à atteindre.
*Fine plaque ronde, généralement en silicium, sur laquelle sont gravées les puces en de multiples exemplaires. Un wafer est une tranche fine de matériau semi-conducteur qui a la forme d'un disque d'au maximum 30 cm de diamètre. Elle est obtenue en découpant une barre de silicium (ou d'un autre matériau semi-conducteur) pur. Le wafer, recouvert d'un vernis sensible, est exposé à des procédés photolithographiques pour créer les dies. Plus le disque est grand et plus la gravure est précise, plus il y aura de puces par wafer et moins les puces coûteront.
Source: Tom's hardware
Le plus petit transistor du monde
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